1.性質(zhì)

　　銦(In)原子序數(shù)49。是一種非常軟、銀白色的、比較稀有的、帶有光澤的純金屬。晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，四方體。比重7.3、熔點156.4°C。溶于酸，與堿和水不反應。當彎曲時，發(fā)出聲調(diào)很高的純金屬聲音。

　　銦的一個不尋常的性質(zhì)是銦是最常見的具有輕微放射性的同位素，它非常緩慢地由β射線衰變?yōu)殄a。但不認為這種輻射是危險的，因為它的半衰期是441×1014年，比宇宙的年齡大4個量級，比天然釷大50萬倍以上。不同于周期表的鄰居鎘，銦并不是一個出名的蓄積毒物。

　　2.應用

　　銦的第一次大規(guī)模應用是在第二次世界大戰(zhàn)期間涂在高性能飛機發(fā)動機軸承表面。隨著生產(chǎn)逐漸增加，作為新的用途用于合金、焊料和電子等。在20世紀50年代，極少的銦被用來作為輻射源和晶體管合金交界處的集流器。在20世紀80年代中、末期，磷化銦半導體和液晶顯示器銦錫氧化物薄膜的發(fā)展引起了很大的興趣。到1992年，薄膜應用已成為最大的最終用途。

　　3.其他用途

　　制造低熔點高溫合金。24%銦和76%鎵構(gòu)成的合金在室溫為液體。一些銦化合物，如銻化銦、磷化銦、氮化銦是具有使用性質(zhì)的半導體。合成半導體需要的成分銅銦鎵硒(CIGS)用來制造太陽能電池薄膜。以化合物半導體為基礎，用在發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LDS)，如由金屬有機物氣相外延制成的InGaP。銦的超純金屬有機物，特別是高純度的三甲基銦(trimethylindium，TMI)用來作為III-V族化合物半導體的前體，同時，它還可在II-VI化合物半導體作為半導體摻雜劑。

　　也可以鍍在金屬和玻璃上蒸發(fā)形成一面鏡子，這種做法與用銀一樣，但具有較高的耐腐蝕性能。在制作電致發(fā)光面板時，氧化銦(In2O3)被用來作為透明導電玻璃基板。作為光過濾器用在低壓鈉氣燈。

　　銦的凝固點為4297485K(1565985°C)在國際溫標ITS-90定義為一個固定點。

　　銦的高中子俘獲截面的熱中子使得它適合使用在核反應堆的控制桿，通常在合金中含有銀80%、銦15%、鎘5%。

　　在核工程，113In和115In的(n,n')反應用來確定中子通量的大小。

　　111In發(fā)出γ射線，它用在醫(yī)學影像學的顯像技術(shù)。顯像有許多應用，包括藥物開發(fā)的早期階段，以及白血細胞活性的監(jiān)視。從病人采血，去除白細胞，用111In放射性標記，然后再重新回注到病人的血液試驗。伽馬成像能顯示高白細胞活性的所有區(qū)域，如一膿腫。

　　非常少量用在鋁合金犧牲陽極(鹽水應用)，以防止鋁的鈍化。在低溫應用方面，以金屬絲形式作為真空密封使用。

　　作為熱重分析裝置的校準材料。

　　目前，我國是世界上最大的生產(chǎn)國和出口國。最大的消費國為日本。銦的礦產(chǎn)資源主要是鉛鋅礦石，從礦石提取銦的成分方式還很原始。我國銦的礦產(chǎn)資源約13014噸。其中云南省分布占40%(5205噸)、廣西31.4%(4086噸)、內(nèi)蒙古8.2%(1067噸)，青海省7.8%(1015噸)，廣東省7%(910噸，)，其他地區(qū)5.6%(728噸)。

　　4.銦的健康損害

　　到20世紀90年代中期，有關(guān)銦的毒性作用的資料還相當缺乏。認為大部分純金屬形式的銦是沒有毒性的，是一個安全的金屬。在焊接和半導體行業(yè)，銦的接觸相對較高，但沒有任何有毒副作用的報告。銦化合物可能不是這樣：有一些未經(jīng)證實的證據(jù)表明銦有低水平的毒性。舉例來說，無水三氯化銦有相當?shù)亩拘裕谆煵坏卸?，而且是可疑致癌物質(zhì)。

　　2001年有報告指出，在處理銦錫氧化物的勞動者中因吸入銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)導致間質(zhì)性肺炎并死亡。在近年的研究中，動物實驗確認化合物半導體磷化銦有致癌作用，在其他的銦化合物加入磷化銦可觀察到嚴重的肺損傷等、在平板顯示器等需要增加ITO的情況下，銦對健康的影響可能會成為一個問題。